ddr2（ddr3）

大家好，小杨来为大家解答以上问题，ddr2，ddr3很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

1、DDR2和DDR3的插槽是不同的。DDR3比DDR2的频率更高、速度更快、容量更大、性能更高。

2、相比DDR2内存，DDR3内存其实只是规格上的提升，并没有真正意义上的新架构进行全面替代。DDR3的触针数量是DDR2的240针。但是，防呆槽口的位置不同。DDR3在大容量内存方面有更好的支持，

3、大容量内存的分水岭是4GB，这是32位操作系统的上限(不考虑PAE等内存映射模式，这些32位扩展模式只是过渡模式，会降低性能。

4、不会成为零售市场的主流技术)当市场需求超过4GB时，64位CPU和操作系统是唯一的解决方案，这是DDR3内存的普及期。

5、一、DDR2和DDR3内存的特点差异：

6、逻辑库数量

7、DDR2 SDRAM有4库8库，目的是为了满足未来大容量芯片的需求。DDR3很可能从2Gb容量开始，因此初始逻辑存储区是8个。

8、此外，它还为未来的16逻辑银行做好了准备。

9、Package (package)

10、由于DDR3中的一些新功能，引脚将会增加。8位芯片采用78引脚FBGA封装，16位芯片采用96引脚FBGA封装，DDR2采用60/68/84引脚FBGA封装。

11、而且DDR3必须是绿色包装，不能含有任何有害物质。

12、Burst length (BL, burst length)

13、由于DDR3的预取为8位，所以突发长度(BL)也固定为8，BL=4也常用于DDR2和早期的DDR架构系统。

14、DDR3增加了4位突发斩波模式，即使用BL=4的读操作和BL=4的写操作来合成BL=8的数据突发传输。此时，这种突发模式可以由A12地址线控制。

15、寻址时序

16、就像DDR2从DDR转型后延迟期数量增加一样，DDR3的CL期也会比DDR2高。DDR2的CL范围一般在2到5之间，而DDR3在5到11之间，附加延迟(al)的设计也发生了变化。

17、在DDR2，AL的范围是0到4，而在DDR3中，AL有三个选项，即CL-1和CL-2。此外，DDR3还增加了新的计时参数mdash-写入延迟(CWD)，这将取决于具体的工作频率。

18、二、与DDR2相比DDR3具有的优点(桌上型unbuffered DIMM)：

19、1.速度更快：prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit，核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。

20、2.更省电：DDR3 Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT(Self-Refresh Temperature)功能，内部增加温度senser，

21、可依温度动态控制更新率(RASR，Partial Array Self-Refresh功能)，达到省电目的。

22、3.容量更大：更多的Bank数量，依照JEDEC标准，DDR2应可出到单位元元4Gb的容量(亦即单条模块可到8GB)，但目前许多DRAM厂商的规划，DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位元元容量，

23、也就是说届时单条DDR2的DRAM模块，容量最大可能只会到4GB。而DDR3模块容量将从1GB起跳，

24、目前规划单条模块到16GB也没问题(注意：这里指的是零售组装市场专用的unbuffered DIMM而言，server用的FB与Registered不在此限)。

本文到此结束，希望对大家有所帮助。